Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Latreche A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Latreche A. 
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes [Електронний ресурс] / A. Latreche // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 1. - С. 19-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_1_6
A new method to analyze reverse characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diode has been presented in this paper. The model incorporates both the current induced by the tunneling of carriers through the Schottky barrier and that induced by the thermionic emission of carriers across the metal-semiconductor interface. The treatment includes the effect of image force lowering both the thermionic emission and electron tunneling processes. This analysis allowed us to separate and identify the thermionic emission and tunneling components of the total current. The experimental reverse transition voltage between thermionic emission and tunneling process can be determined from the intersection of the two components by using two models; bias dependence and no bias dependence of barrier height. For high temperatures, the experimental reverse transition voltage increases with increasing the temperature and decreases with increasing the doping concentration as predicted by Latreche's model.
Попередній перегляд:   Завантажити - 510.872 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Latreche A. 
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes [Електронний ресурс] / A. Latreche // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 4. - С. 397-403. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_4_7
In order to determine the temperature dependence of the reverse transition voltage between thermionic emission and tunneling mechanisms, a numerical method has been applied for <$Ebeta>-Ga2O3 Schottky barrier diodes. The main idea of this method is based on the intersection of I - V curves of thermionic emission and tunneling process. The reverse transition voltage increases for low and high temperatures, while it decreases at intermediate temperatures. This means that unexpected peak by Padovani - Stratton's condition is observed at low temperatures. The reverse transition voltage increases linearly with increasing the barrier height, and the inverse of doping concentration. An analytical model has been proposed to predict the dependence of the reverse transition voltage on temperature, doping concentration and barrier height for <$Ebeta>-Ga2O3 Schottky barrier diodes. This model is well tested on experimental reverse transition voltage data previously published in the literature for <$Ebeta>-Ga2O3 SBDs.In order to determine the temperature dependence of the reverse transition voltage between thermionic emission and tunneling mechanisms, a numerical method has been applied for <$Ebeta>-Ga2O3 Schottky barrier diodes. The main idea of this method is based on the intersection of I - V curves of thermionic emission and tunneling process. The reverse transition voltage increases for low and high temperatures, while it decreases at intermediate temperatures. This means that unexpected peak by Padovani - Stratton's condition is observed at low temperatures. The reverse transition voltage increases linearly with increasing the barrier height, and the inverse of doping concentration. An analytical model has been proposed to predict the dependence of the reverse transition voltage on temperature, doping concentration and barrier height for <$Ebeta>-Ga2O3 Schottky barrier diodes. This model is well tested on experimental reverse transition voltage data previously published in the literature for <$Ebeta>-Ga2O3 SBDs.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.442 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського